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常见LED芯片的特点:

一、MB芯片

界说：METAL BONDING（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。

特点: 1.选取高散热系数的资料---SI 作为衬底、散热容易。

      2.通过金属层来接合（WAFER BONDING）磊晶层和衬底
，同时反射光子
，预防衬底的吸收。

      3.导电的SI衬底取代GAAS衬底
，具备优良的热传导能力（导热系数相差3-4倍）
，更适应于高驱动电流领域。

      4.底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

      5.尺寸可加大、利用于HIGH POWER领域、ER：42MIL MB

二、GB芯片

界说：GLUE BONDING（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品

特点：1.通明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似        TS芯片的GAP衬底。

      2.芯片四面发光、拥有杰出的PATTERN

      3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）

      4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差与TS单电极芯片

三、TS芯片

界说:transparent structure（通明衬底）芯片、该芯片属于HP的专利产品。

特点: 1.芯片工艺造作复杂、远高于AS LED

      2.信任性卓越

      3.通明的GAP衬底、不吸收光、亮度高

四、AS芯片

界说：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收衬底）芯片

特点: 1.四元芯片、选取MOVFE工艺造备、亮度项对于通例芯片要亮

      2.信任性良好